9月28日，開工9個月的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房，實現提前封頂，項目建設向前邁出堅實一步！

　　在項目前期工作中，葛化集團參與基礎設施的建設服務，締造了”葛化速度“，為項目的順利實施夯實了基礎。該項目于2016年12月30日正式開工，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。此次提前封頂的項目（一期）一號生產及動力廠房建筑面積達52.4萬㎡，預計將于2018年投入使用。項目（一期）達產后，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

　　國家存儲器基地是我國發展集成電路產業的重要組成部分，對于填補國內主流存儲器領域空白、保障國家信息安全具有重要的戰略意義。國家存儲器基地的逐步建成，標志著中國存儲芯片產業規模化發展實現”零“的突破，這是”國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作“新模式的成功探索。

　　未來，這里將建起”航母級芯片工廠“，我國存儲器產業的發展也將再上新臺階。